Korejská společnost v dubnu 2019 oznámila, že do vývoje a výroby čipů do roku 2030 investuje 133 bilionů wonů (133 mld. dolarů). Po dvou letech a aktuální významné polovodičové krizi ale plány pozměnila. Přidá dalších 38 bilionů wonů (34 mld. dolarů).
Samsung do továren napumpuje miliardy. Čipová krize by mohla v druhé polovině 2021 polevit
Cílem Samsungu je stát se do roku 2030 největším výrobcem logických čipů na světě. Momentálně mu patří prvenství v paměťových čipech typu NAND a DRAM.
Firma už zahájila výstavbu nové továrny P3 v korejském Pchjongtcheku. Za zhruba 25 miliard dolarů tam vznikne komplex na produkci 14nm DRAM a 5nm (s EUV) logických čipů. Dokončena bude v druhé polovině příštího roku, v sezóně 2023 se rozjede naplno. V letošním druhém pololetí pak rozjede výrobu DRAM a NAND na linkách P2.
Polovodičové továrny Samsungu
| Továrna |
Litografie |
Velikost waferů |
Místo |
| 6 |
180–65 nm |
8" (200 mm) |
Giheung-gu, Korea |
| F1X1 |
20 nm |
12" (300 mm) |
Si-an, Čína |
| S1 |
65–8 nm |
12" (300 mm) |
Giheung-gu, Korea |
| S2 |
65–11 nm |
12" (300 mm) |
Austin, USA |
| S3 |
10 nm |
12" (300 mm) |
Hwasong, Korea |
| S4 |
6–5 nm |
12" (300 mm) |
Hwasong, Korea |
| V1 |
7–5 nm |
12" (300 mm) |
Hwasong, Korea |
| P1 |
14 nm |
12" (300 mm) |
Pchjongtchek, Korea |
| P2 |
14 nm |
12" (300 mm) |
Pchjongtchek, Korea |
| P3 |
14–5 nm |
12" (300 mm) |
Pchjongtchek, Korea |
O zakázky se Samsung bude prát mj. s TSMC a Intelem. Tchajwanská společnost chce do výroby investovat 100 miliard dolarů v příštích třech letech. Intel začal za 20 miliard dolarů stavět dvě nové továrny a oznámil, že část kapacit uvolní partnerům pro zakázkovou výrobu.
Investice navyšují i ostatní. Plán na rozšíření výroby představila společnost GlobalFoundries. A tchajwanská fabrika UMC se zrovna nedávno dohodla, že od Samsungu odkoupí starší vybavení pro výrobu 28nm čipů, čímž si Korejci uvolní prostor pro novější litografii.
Samsung vysvětluje nový typ tranzistorů GAA:
