Samsung začne ve velkém vyrábět rychlé paměti HBM2 s kapacitou 8 GB

Na začátku minulého roku Samsung oznámil začátek hromadné výroby velmi rychlých pamětí HBM2 (druhá generace High Bandwidth Memory), které v rámci 1024bitového rozhraní nabízí propustnost 256 GB/s (GDDR5 zvládne jen 32 GB/s). Své uplatnění našly u grafických a výpočetních karet, kde jsou rychlé paměti kritické pro výkon – dochází totiž k přesunu velkého množství dat.

Samsung (SK Hynix začal s výrobou až v srpnu) ale od té doby vyráběl čipy pouze ve verzi s kapacitou 4 GB, což vzhledem k rostoucí poptávce po větších kapacitách pamětí hlavně z oblasti výpočetních grafických karet, které jsou určené například i pro trénování hlubokých neuronových sítí, přestává stačit.

Typickou konfigurací totiž byly čtyři čipy HBM2 kolem grafického čipu a celková kapacita 16 GB. Samsung ale nyní oznámil, že rozjel hromadnou výrobu 8GB varianty čipů HBM2, které tak umožní snížit počet potřebných čipů a tím snížit cenu za případnou grafiku, či spíše umožní snadno zvýšit kapacitu paměti těchto karet. Do konce první poloviny příštího roku by už výroba 8GB čipů HBM2 měla tvořit polovina celkové výroby.

Pokud jde o nástupce v podobě HBM3, ten by měl přinést kromě vyšší kapacity a nižší spotřeby i dvojnásobnou propustnost 512 GB/s na jeden čip a hromadná výroba se očekává kolem roku 2020.

Témata článku: Technologie, Čipy, Grafické karty, Samsung, Velká kapacita, Grafická karta, Karta, Minulý rok, Nízká spotřeba, Příští rok, Velké množství, Celková kapacita, Čip, Kapacita, Paměť, Vysoká kapacita, Grafický čip, Propustnost, První polovina, Výroba, Druhá generace, SK Hynix, Dvojnásobná propustnost, High Bandwidth Memory, Hromadná výroba